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平面型场效应管

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      场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

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商品描述

      场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。


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Part   No.Packagechannel  ESD VDS(V)Vgs(V)Vm(V) Typ.Id*(A)Rds(on)(Ω max) at VGS=PDF
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AN740LJ0TO-220NNo400±303100.55PDF   DownLoad
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AN5N50FJ0TO-252NNo500±30352.00PDF   DownLoad
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AN4N65LJ0TO-220NNo650±303.043.00PDF   DownLoad
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AN7N65YJ0TO-220FNNo650±30371.30PDF   DownLoad
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