爱思科微电子
简体中文
繁體中文
English
首页
关于我们
新闻中心
产品中心
支持与文档
联系我们
产品中心
合金电阻
TVS/ESD二极管
二三极管
二极管
开关二极管
肖特基二极管
稳压二极管
快恢复二极管
三极管
普通三极管
双-三极管
MOS场效应管
沟槽型场效应管
平面型场效应管
屏蔽栅沟槽型场效应管
超结场效应管
电源管理芯片
CMOS 电源稳压器LDO
Bipolar 电源稳压器LDO
DC/DC控制器
升压DC/DC控制器
降压DC/DC控制器
电压基准IC
复位IC
电压检测LVD
霍尔芯片
开关型霍尔芯片
驱动型霍尔芯片
全极型霍尔芯片
双极型霍尔芯片
驱动芯片
达林顿驱动芯片
液晶驱动芯片
通讯协议芯片
MCU单片机
51系列
ARM系列
9
产品中心
PRODUCT DISPLAY
首页
>>
MOS场效应管
当前位置：
沟槽型场效应管
沟槽型场效应管
市场价:
0.00
价格:
0.00
<p> 沟槽式场效应管TrenchMOSFET是现在比较常用的金属-氧化物半导体场效应晶体管。因其具有低导通电阻、低栅漏电荷密度的特点，所以功率损耗低、开关速度快。<br/></p>
平面型场效应管
平面型场效应管
市场价:
0.00
价格:
0.00
<p> 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。</p>
屏蔽栅沟槽型场效应管
屏蔽栅沟槽型场效应管
市场价:
0.00
价格:
0.00
<p> 屏蔽栅场效应晶体管(shieldedgatetrench，SGT)，由于其具有较低的栅漏电容cgd、很低的导通电阻、以及较高的耐压性能，进而更有利于半导体集成电路的灵活应用。具体而言，在屏蔽栅场效应晶体管中，通过在栅电极的下方设置屏蔽电极，从而可以大幅降低了栅漏电容，并且屏蔽栅场效应晶体管的漂流区中还具有较高的杂质载流子浓度，能够为器件的击穿电压提供额外的益处，相应的可以降低导通电阻。</p>
超结场效应管
超结场效应管
市场价:
0.00
价格:
0.00
<p><span style="color: rgb(34, 34, 34); font-family: 等线; font-size: 18px;">超结场效应管（</span><span style="color: rgb(34, 34, 34); font-family:;">superjunctionfet</span><span style="color: rgb(34, 34, 34); font-family: 等线; font-size: 18px;">，简称</span><span style="color: rgb(34, 34, 34); font-family:;">SJ FET</span><span style="color: rgb(34, 34, 34); font-family: 等线; font-size: 18px;">）是一种具有特殊结构的超导材料。在室温下，它具有与普通金属一样的导电特性，但它的电阻率却比普通金属小得多；而且当温度升高时，它的电阻率反而下降。这种特殊的结构使它能像普通半导体一样工作于高温环境。由此材料制成的场效应管即为超结场效应管</span></p>
1
到第
页
共
1
页
